SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装

日期: 2021-10-19
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矽莱克半导体SGT工艺-超低内阻MOSFET DFN5*6及DFN3*3封装,主要运用于PD快速充电同步整流及V-BUS设计,具有更低的Rdson及Qg值等优势,提升电源管理的整体效率,具有更好的产品性价比,主推料号如SR1A055NAK8A(100V/ 5.5mΩ),SR1A060NAK8A(100V/6 mΩ),SR30040NAI8A(30V/4 mΩ),SR30100PAI8A(-30V/10.5 mΩ)及SR40080NAI8A(40V/8 mΩ)等规格


SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装

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