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SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装

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青岛惠科6英寸晶圆半导体项目通线

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矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权

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矽莱克半导体之创新型桥式整流器组件获得美国发明专利

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2021 - 10 - 19
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公司动态

SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装

SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装发布时间： 2021 - 10 - 19

高通指出，此次互通性里程碑是在位于奥卢 (Oulu) 的诺基亚 5G 卓越中心 (5G center of excellenc2016与珠海英诺賽科进行第三代功率半导体封测\高通指出，此次互通性里程碑是在位于奥卢 (Oulu) 的诺基亚 5G 卓越中心 (5G center of excellenc2016与珠海英诺賽科进行第三代功率半导体封测\高通指出，此次互通性里程碑是在位于奥卢 (Oulu) 的诺基亚 5G 卓越中心 (5G center of excellenc2016与珠海英诺賽科进行第三代功率半导体封测\高通指出，此次互通性里程碑是在位于奥卢 (Oulu) 的诺基亚 5G 卓越中心 (5G center of excellenc2016与珠海英诺賽科进行第三代功率半导体封测\

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