矽莱克半导体(Sirect Semiconductors Inc.)创立于2002年,核心技术及团队来自于欧美及台湾功率半导体产业,注册总资本美金八百余万元,主要从事各类高功率密度(High Power Density)超薄型贴片式(Surface Mount Device, SMD)及功率型(Power Package)功率器件研发与制造,包括肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)、快速二极管(Ultra Fast Recovery Diode)、恒流二极管(Current Regulative Diode, CRD)、瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor, TVS)、稳压二极管(Zener Diode)、普通整流二极管(Standard Rectifier Diode)、创新型桥式整流器(Bridge Rectifier)元件及各类整流功率模块(Power Module)等,长期与美国及法国功率半导体产业进行技术合作及交流,以电力电子领域之功率半导体为主要研究与发展方向,尤其专注于高效节能之肖特基二极管,目前已拥有数十项国内外发明及新型专利,以自有品牌营销市场已逾十余年。在持续维持销售规模增长下,逐渐发展成为跨国性之专业功率半导体设计及制造商,近年来并陆续投资下游封测产业,完成多项专利产品开发及量产,并积极进入第三代宽禁带功率半导体封测业务。

 

公司主要产品为低正向压降肖特基二极管(Low Forward Voltage Drop-down Schottky Barrier Diode),该产品依制程特性主要区分为平面式(Planar)及沟槽式(Trench)两大类,具有低损耗、高效率、高可靠性、超快交换速度以及低电磁干扰的优点,主要运用于高频率、高效率电源转换运用,如手机及消费类电子、LED照明、太阳能、工业逆变器、UPS不断电系统、网通、汽车电子、显示器、电视及家电、工业及通信、云端及服务器等各类交换式电源供应器(Switching-Mode Power Supply)及能源管理(Energy Management)领域,十多年来持续服务欧美、日本、韩国、香港、台湾及大陆等下游大型及上市企业客户逾数百家,产品以高效节能及高可靠性著称,并依此做为企业持续发展的方向,并以追求更大幅度的能源管理节能效果做为企业发展目标及使命,为节能减碳及绿能环保做出持续不断的贡献。

 

矽莱克半导体近年来陆续获得多项创新性专利产品,于功率半导体产业具有重大意义,其中如串联式功率因素校正(Power Factor Correction, PFC)升压二极管封装专利结构。上述产品具有制造成本低廉、生产效率高、产品一致性高、可靠性高、大幅提升转换效率以及售价相对低廉的多项重要优势,提供了一种更为合理的串联(Tandem)封装结构,并计划运用于碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)的封测领域,以加速第三代宽禁带功率半导体发展的速度与进程。此外,已获得美国发明专利之单相及三相桥式整流器元件及其运用方案,有效的提升了传统桥式整流器以及功率整流模块的可靠性以及功率密度,并大幅度降低了该类产品电路的使用空间以及成本,以该专利经由全自动化生产、极小型化的高功率密度器件,替代了传统无法高度自动化生产的旧型桥式整流器及中大型整流模块,属于全球首创、兼具高性价比与高可靠性的产品。

 

为完成全球战略布局,加速资本形成及资源整合,强化整体竞争优势,深化研发能力及资源利用效率,公司近年来正逐步完成上下游资源整合计划,同时拓展产品广度与深度,深化蓝海专利产品发展,目前仍有多项专利产品正在进行量产化阶段,计划以极具竞争优势的价格与性能,提供给电源管理设计者更多且更佳的高效率选择方案。

 

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