矽莱克半导体与珠海英诺赛科进行第三代功率半导体宽禁带材料功率封装技术交流

日期: 2017-08-18
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矽莱克半导体于日前与珠海英诺赛科科技有限公司,在珠海英诺赛科进行第三代半导体氮化镓GaN及碳化硅SiC等宽禁带材料之功率封装技术的交流与会谈,双方分别由矽莱克半导体亚太区总裁Ben Chen先生及英诺赛科韩籍R&D VP Hans Kim先生为代表的一行人,进行上述相关议题讨论。硅莱克主要向英诺赛科介绍矽莱克全球首创之专利串联功率半导体封测技术,期以封测技术解决目前第三代半导体的技术门坎及极限,加速宽禁带功率器件的发展,并对预计投入国内第一条氮化镓衬底及晶圆的英诺赛科表达进一步深入合作的意向。

 

英诺赛科是近年珠海重点引进的高新技术产业项目,由英诺赛科集团有限公司(Innoscience group Inc.)与珠海高新区国企高新创投有限公司、珠海高新技术创业服务中心共同出资成立,注册资本10.95亿人民币,核心团队成员包括原美国NASA首席科学家朴演峻博士、德国科学院韦伯院士、亚拉巴马州立大学科学家骆薇薇博士以及原LG美国区域采购总裁孙在亨先生等行业专家,致力于第三代半导体单晶体新材料的研发和生产工艺设计,并推进该技术的产业化。


矽莱克半导体与珠海英诺赛科进行第三代功率半导体宽禁带材料功率封装技术交流




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