矽莱克半导体与东莞凌讯电子计划将组建合资公司，专业从事第三代宽禁带功率半导体、高效率功率因素校正器件(PFC, Power Factoer Correction)及新型桥式整流器(Tandem Bridge Rectifier)等三项专利产品之研发及封装测试业务，同时并进行MOSFET场效应管之研发、封测生产及销售业务，双方初步议定持股比例将为51%与49%，并已签订备忘录，将送交双方董事会通过后，着手进行合资公司之筹备设立相关事务。

东莞凌讯电子为专业之半导体封测厂，成立于2012年，主要从事半导体功率器件包括萧特基二极管(Schottky Barrier Diode)、超快恢复二极管(FRED)与MOSFET场效应管之封测业务。

上述三项合作之核心专利产品，矽莱克半导体已申请并陆续获得中国、美国及台湾等国三十余项新型及发明专利，为划时代的突破性产品，在第三代功率半导体氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)领域，透过该项封测技术将可全面提升器件耐压性能，达到更高功率密度、微型化、高可靠性及高效节能的效果；在功率因素校正运用领域，亦提供了一种高可靠性、高性价比、高效率的完全替代性新材料；同时在桥式整流器领域，提供了一种全新的突破性封装产品及应用方案，大幅提升了单相及三相桥式整流器的功率密度、散热性、可靠性及交换效率，减少了器件的体积并降低了产品失效率。

双方计划合资公司业务，五年后将达到年产功率器件6亿只，年产值人民币8到10亿的预期规模，在高耐压、高可靠性及高效率的功率半导体器件领域，凭借多项专利，形成产业间独占的领导地位。