矽莱克半导体与凌讯电子将组建合资公司从事第三代宽禁带功率半导体封测业务

日期: 2018-01-08
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矽莱克半导体与东莞凌讯电子计划将组建合资公司,专业从事第三代宽禁带功率半导体、高效率功率因素校正器件(PFC, Power Factoer Correction)及新型桥式整流器(Tandem Bridge Rectifier)等三项专利产品之研发及封装测试业务,同时并进行MOSFET场效应管之研发、封测生产及销售业务,双方初步议定持股比例将为51%与49%,并已签订备忘录,将送交双方董事会通过后,着手进行合资公司之筹备设立相关事务。

 

东莞凌讯电子为专业之半导体封测厂,成立于2012年,主要从事半导体功率器件包括萧特基二极管(Schottky Barrier Diode)、超快恢复二极管(FRED)与MOSFET场效应管之封测业务。

 

上述三项合作之核心专利产品,矽莱克半导体已申请并陆续获得中国、美国及台湾等国三十余项新型及发明专利,为划时代的突破性产品,在第三代功率半导体氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)领域,透过该项封测技术将可全面提升器件耐压性能,达到更高功率密度、微型化、高可靠性及高效节能的效果;在功率因素校正运用领域,亦提供了一种高可靠性、高性价比、高效率的完全替代性新材料;同时在桥式整流器领域,提供了一种全新的突破性封装产品及应用方案,大幅提升了单相及三相桥式整流器的功率密度、散热性、可靠性及交换效率,减少了器件的体积并降低了产品失效率。

 

双方计划合资公司业务,五年后将达到年产功率器件6亿只,年产值人民币8到10亿的预期规模,在高耐压、高可靠性及高效率的功率半导体器件领域,凭借多项专利,形成产业间独占的领导地位。


矽莱克半导体与凌讯电子将组建合资公司从事第三代宽禁带功率半导体封测业务


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