深圳市矽莱克半导体有限公司
矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权
矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权
矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权，该发明主要运用于各类直流交流电路...
发布时间: 2019 - 05 - 07
浏览次数：20
查看详情>>
矽莱克半导体「晶体管之串联装置」获得新型及发明专利授权
矽莱克半导体「晶体管之串联装置」获得新型及发明专利授权
矽莱克半导体之「晶体管之串联装置」发明获得新型及台湾地区发明专利授权，该发明封测装置可将MOSFET及IGBT等晶体管之...
发布时间: 2019 - 04 - 11
浏览次数：6
查看详情>>
矽莱克半导体「桥式整流电路部件」获得新型及发明专利授权
矽莱克半导体「桥式整流电路部件」获得新型及发明专利授权
矽莱克半导体之「桥式整流电路部件」发明获得新型及台湾地区发明专利授权，该发明以全自动化生产，高功率密度的串联(Tande...
发布时间: 2019 - 01 - 15
浏览次数：7
查看详情>>
矽莱克半导体获得炬神电子2018年度供货商最佳服务奖
矽莱克半导体获得炬神电子2018年度供货商最佳服务奖
矽莱克半导体参加炬神电子有限公司于湖南举办之2019年供应商大会，并获得2018年度供应商最佳服务奖。 炬神电...
发布时间: 2019 - 01 - 13
浏览次数：13
查看详情>>
共15条页次2/4首页<1234>尾页
相关推荐 / Recommend
SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装
SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装
2021 - 10 - 19
矽莱克半导体SGT工艺-超低内阻MOSFET DFN5*6及DFN3*3封装，主要运用于PD快速充电同步整流及V-BUS设计，具有更低的Rdson及Qg值等优势，提升电源管理的整体效率，具有更好的产品性价比，主推料号如SR1A055NAK8A(100V/ 5.5mΩ)，SR1A060NAK8A(100V/6 mΩ)，SR30040NAI8A(30V/4 mΩ)，SR30100PAI8A(-30V/...
More
青岛惠科6英寸晶圆半导体项目通线
青岛惠科6英寸晶圆半导体项目通线
2021 - 01 - 13
近日，青岛惠科6英寸晶圆半导体项目通线仪式在即墨区北安街道人工智能产业区举行，这也意味着山东省内首批面向市场自主设计生产的6英寸晶圆半导体项目进入批量化生产阶段。记者了解到，该项目达产后将成为国内单体产出最大的功率器件生产基地。副市长耿涛现场宣布项目正式通线。惠科6英寸晶圆半导体项目是集功率半导体器件设计、制造、封装测试为一体的全产业链项目，由深圳惠科投资有限公司与即墨区马山实业发展有限公司共同出...
More
转投资之应星开物科技获入编2020年中华人民共和国国家年鉴
转投资之应星开物科技获入编2020年中华人民共和国国家年鉴
2021 - 01 - 20
矽莱克半导体转投资深圳市应星开物科技有限公司，荣获第17届中国科学家论坛，并获入编。深圳市应星开物科技主要从事能量色散X射线荧光光谱(EDXRF)实际应用领域，已获两项国家发明专利授权，长期专注于材料科学以及与食品接触容器的无损检测及材质安全性研究。
More
矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权
矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权
2019 - 05 - 07
矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权，该发明主要运用于各类直流交流电路，包括各种电路拓朴，将功率器件以自动化的封测方式集成化，提升功率密度(Power-Density)并降低设计成本。
More

联系我们

0755-83057606
地址 ：深圳市福田区益田路3013号南方国际广场B栋1103
邮箱：leo@sirect.com

给我们留言

Leave us a message.

Copyright ©2018 - 2021  深圳市矽莱克半导体有限公司 粤ICP备19069783号

犀牛云提供企业云服务