新闻及动态 -

矽莱克半导体开始启用东莞虎门研发中心并全面进行大功率、高功率密度及高可靠性功率半导体产品及运用的研发

矽莱克半导体座落位于东莞虎门107智谷之研发中心开始启用，自2016年迄今，矽莱克半导体中国研发中心已陆续完成15件专利...

发布时间: 2018 - 11 - 01

浏览次数：128

查看详情>>

矽莱克半导体之创新型桥式整流器组件获得美国发明专利

矽莱克创新型单相及三相桥式整流器组件(Bridge Rectifier Circuit Component)，已通过美国...

发布时间: 2018 - 09 - 18

浏览次数：83

查看详情>>

深圳市矽莱克半导体及其<晶体管串联集成装置>专利获得第15届中国科学家论坛组委会提名入围多项奖项

深圳市矽莱克半导体及其专利和专利发明人，获得第15届中国科学家论坛组委会提名入围、和等多项奖项，并受邀参加于2018.9...

发布时间: 2018 - 08 - 30

浏览次数：151

查看详情>>

矽莱克半导体与珠海英诺赛科进行第三代功率半导体宽禁带材料功率封装技术交流

矽莱克半导体于日前与珠海英诺赛科科技有限公司，在珠海英诺赛科进行第三代半导体氮化镓GaN及碳化硅SiC等宽禁带材料之功率...

发布时间: 2017 - 08 - 18

浏览次数：35

查看详情>>

共18条页次4/5首页<12345>尾页

相关推荐 / Recommend

SGT工艺超低內阻MOSFET DFN3*3 & DFN5*6封装

2021 - 10 - 19

矽莱克半导体SGT工艺-超低内阻MOSFET DFN5*6及DFN3*3封装，主要运用于PD快速充电同步整流及V-BUS设计，具有更低的Rdson及Qg值等优势，提升电源管理的整体效率，具有更好的产品性价比，主推料号如SR1A055NAK8A(100V/ 5.5mΩ)，SR1A060NAK8A(100V/6 mΩ)，SR30040NAI8A(30V/4 mΩ)，SR30100PAI8A(-30V/...

青岛惠科6英寸晶圆半导体项目通线

2021 - 01 - 13

近日，青岛惠科6英寸晶圆半导体项目通线仪式在即墨区北安街道人工智能产业区举行，这也意味着山东省内首批面向市场自主设计生产的6英寸晶圆半导体项目进入批量化生产阶段。记者了解到，该项目达产后将成为国内单体产出最大的功率器件生产基地。副市长耿涛现场宣布项目正式通线。惠科6英寸晶圆半导体项目是集功率半导体器件设计、制造、封装测试为一体的全产业链项目，由深圳惠科投资有限公司与即墨区马山实业发展有限公司共同出...

转投资之应星开物科技获入编2020年中华人民共和国国家年鉴

2021 - 01 - 20

矽莱克半导体转投资深圳市应星开物科技有限公司，荣获第17届中国科学家论坛，并获入编。深圳市应星开物科技主要从事能量色散X射线荧光光谱(EDXRF)实际应用领域，已获两项国家发明专利授权，长期专注于材料科学以及与食品接触容器的无损检测及材质安全性研究。

矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权

2019 - 05 - 07

矽莱克半导体「两个不同元器件串联封装的半导体装置」发明获得国家知识产权局授予发明专利权，该发明主要运用于各类直流交流电路，包括各种电路拓朴，将功率器件以自动化的封测方式集成化，提升功率密度(Power-Density)并降低设计成本。

联系我们

0755-83057606

地址：深圳市福田区益田路3013号南方国际广场B栋1103

邮箱：leo@sirect.com

给我们留言

Leave us a message.

友情链接：

东莞市中芯半导体有限公司

中国管理科学研究院商学院(CAMS)

犀牛云提供企业云服务